BC847SH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBC847sh
Gehäuse: SOT363
Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C;
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Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847SH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2100 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2227 | 0,1233 | 0,0819 | 0,0683 | 0,0636 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
3753000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0636 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0636 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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