BC848BLT1G

Symbol Micros: TBC848b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC848BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0967 0,0382 0,0223 0,0163 0,0149
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC848BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3760 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0967 0,0382 0,0223 0,0163 0,0149
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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