BC848BWT1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TBC848bw ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT3) Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT3)
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC848BWT1G RoHS 1K Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2038 0,0884 0,0578 0,0481 0,0453
Standard-Verpackung:
150
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC848BWT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0453
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC848BWT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0453
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN