BC849B SOT23

Symbol Micros: TBC849B c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: KEXIN
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: KEXIN Hersteller-Teilenummer: BC849B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2880 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0650 0,0249 0,0122 0,0097 0,0093
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: KEXIN
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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