BC849CLT1G
Symbol Micros:
TBC849c ONS
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC849CLT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3880 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0917 | 0,0361 | 0,0211 | 0,0154 | 0,0141 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC849CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
843000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0141 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC849CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0141 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC849CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
192000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0141 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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