BC850B NXP

Symbol Micros: TBC850b NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23 Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC850B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1107 0,0508 0,0277 0,0207 0,0184
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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