BC850B NXP
Symbol Micros:
TBC850b NXP
Gehäuse: SOT23
Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23 Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23
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Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC850B,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6800 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1115 | 0,0512 | 0,0279 | 0,0208 | 0,0186 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BC850B,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0186 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BC850B,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0186 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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