BC850B NXP

Symbol Micros: TBC850b NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23 Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC850B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1115 0,0512 0,0279 0,0208 0,0186
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC850B,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0186
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC850B,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0186
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN