BC850BLT1 smd ONS

Symbol Micros: TBC850blt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz NPN 100mA 45V 225mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC850BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
29500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0811 0,0314 0,0153 0,0121 0,0116
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC850BLT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6500 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0147
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN