BC850C

Symbol Micros: TBC850c c

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; Bipolar; 800; 30V; 5V; 100MHz; 200mA; 250mW; -65°C~150°C; Ähnlich: BC850C _R1 _00001;

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: KINGTRONICS Hersteller-Teilenummer: BC850C RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	6000+
Nettopreis (EUR)	0,0516	0,0191	0,0101	0,0075	0,0071

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN