BC850C

Symbol Micros: TBC850c c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 800; 30V; 5V; 100MHz; 200mA; 250mW; -65°C~150°C; Ähnlich: BC850C _R1 _00001;

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: KINGTRONICS Hersteller-Teilenummer: BC850C RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
Nettopreis (EUR) 0,0495 0,0183 0,0097 0,0072 0,0068
Standard-Verpackung:
3000/6000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN