BC850C

Symbol Micros: TBC850c c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor NPN; Bipolar; 800; 30V; 5V; 100MHz; 200mA; 250mW; -65°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 800; 30V; 5V; 100MHz; 200mA; 250mW; -65°C~150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: BC850C RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0558 0,0208 0,0112 0,0083 0,0077
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: KINGTRONICS Hersteller-Teilenummer: BC850C RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
Nettopreis (EUR) 0,0502 0,0186 0,0098 0,0073 0,0069
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/6000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole