BC850C
Symbol Micros:
TBC850c DIOTEC
Gehäuse: SOT23-3
Transistor PNP; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C;
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Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 520 |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: BC850C RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0809 | 0,0318 | 0,0186 | 0,0136 | 0,0124 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 520 |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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