BC856BDWT1G

Name: BC856BDWT1G TBC856BDW1
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBC856BDW1
Price: 0.0283 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBC856BDW1

Gehäuse: SC-88

Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88

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Parameter

Verlustleistung:	380mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	475
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SC-88
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	65V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1557	0,0738	0,0416	0,0315	0,0283

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G Gehäuse: SC-88

Externes Lager:

441000 stk.

Anzahl Stück	60000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0283

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G Gehäuse: SC-88

Externes Lager:

1632000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0283

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G Gehäuse: SC-88

Externes Lager:

223032 stk.

Anzahl Stück	1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0283

Verlustleistung:	380mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	475
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SC-88
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	65V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	2xPNP