BC856C smd

Symbol Micros: TBC856c

Gehäuse: SOT23

PNP 100mA 65V 650mW 150MHz 420 < beta < 800 PNP 100mA 65V 650mW 150MHz 420 < beta < 800

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	HOTTECH
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	65V

Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: BC856C RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0450	0,0168	0,0090	0,0067	0,0062

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Geplantes Datum:
2025-04-30

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	200mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	HOTTECH
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	65V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP