BC856S
Symbol Micros:
TBC856s
Gehäuse: SOT363
2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz 2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz
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Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 110 |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 110 |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xPNP |
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