BC856S

Symbol Micros: TBC856s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz 2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 110
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC856S,115 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1403 0,0644 0,0351 0,0262 0,0234
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 110
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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