BC857A HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBC857a HXY
Gehäuse: SOT23
PNP-Transistor; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857A,215; BC857ALT1G; BC857AE6327HTSA1; BC857A RFG; BC857A-7-F; BC857A-TP;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 220 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 220 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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