BC857BDW1T1G
Symbol Micros:
TBC857bdw
Gehäuse: SOT363 t/r
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive
Parameter
| Verlustleistung: | 380mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT363 t/r |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1542 | 0,0734 | 0,0411 | 0,0313 | 0,0280 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G
Gehäuse: SOT363 t/r
Externes Lager:
33000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0280 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G
Gehäuse: SOT363 t/r
Externes Lager:
294000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0280 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G
Gehäuse: SOT363 t/r
Externes Lager:
534000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0280 |
| Verlustleistung: | 380mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT363 t/r |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xPNP |
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