BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR
Symbol Micros:
TBC857c ONS
Gehäuse: SOT23-3
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
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Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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