BC857CW,115

Symbol Micros: TBC857cw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857CW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1028 0,0406 0,0238 0,0173 0,0158
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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