BC860C smd

Symbol Micros: TBC860c

Gehäuse: SOT23

PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 420 < beta < 800 PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 420 < beta < 800

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: BC860C RoHS Gehäuse: SOT23t/r

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Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0897	0,0354	0,0206	0,0151	0,0138

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Geplantes Datum:
2025-04-10

Anzahl Stück: 6000

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP