BCM846S

Symbol Micros: TBCM846s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCM846SH6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2113 0,1059 0,0630 0,0521 0,0469
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCM846BS-7 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0469
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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