BCP55 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBCP55 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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NPN-Transistor; 250; 1,5W; 60V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BCP55,115; BCP55,135; BCP55TA; BCP55H6327XTSA;
Parameter
Verlustleistung: 1,5W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BCP55 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2323 0,0929 0,0540 0,0450 0,0422
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,5W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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