BCP55-16TA

Symbol Micros: TBCP5516 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5516TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2229 0,0962 0,0599 0,0512 0,0495
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5516TA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0497
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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