BCP55-16

Symbol Micros: TBCP5516 Diotec
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 1,3W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: BCP55-16 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2688 0,1467 0,0962 0,0832 0,0766
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Verlustleistung: 1,3W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole