BCP5616TA

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Grenzfrequenz: 150MHz
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2252 0,1127 0,0672 0,0555 0,0500
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Grenzfrequenz: 150MHz
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN