BCP56TA DIODES

Symbol Micros: TBCP56TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
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Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223-4
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP56TA RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
870 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1991 0,0797 0,0462 0,0385 0,0361
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223-4
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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