BCR08PNH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR08pn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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NPN/PNP 50V 170MHz 250mW NPN/PNP 50V 170MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR08PNH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1383 0,0657 0,0370 0,0282 0,0251
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR08PNH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0477
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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