BCR108S

Symbol Micros: TBCR108s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2NPN 0.1A 50V 0.25W 2NPN 0.1A 50V 0.25W
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108S RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2103 0,1160 0,0768 0,0640 0,0601
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
31500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0601
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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