BCR108W
Symbol Micros:
TBCR108w
Gehäuse: SOT323
NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 170MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108W E6327 RoHS
Gehäuse: SOT323
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0775 | 0,0298 | 0,0146 | 0,0116 | 0,0111 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0303 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0294 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0346 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 170MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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