BCR10PN Infineon Tech
Symbol Micros:
TBCR10pn
Gehäuse: SOT363
NPN/PNP 100mA 50V 130MHz 250mW NPN/PNP 100mA 50V 130MHz 250mW
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR10PNH6327 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1525 | 0,0724 | 0,0407 | 0,0310 | 0,0277 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR10PNH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0488 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR10PNH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0473 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN/PNP |
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