BCR112

Symbol Micros: TBCR112
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 140MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
22740 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1781 0,0845 0,0475 0,0361 0,0324
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0324
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
31500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0324
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 140MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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