BCR116SH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR116s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW 2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR116SH6327 RoHS WGs Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
480 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1448 0,0580 0,0338 0,0279 0,0263
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR116SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0478
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR116SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0463
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

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