BCR119E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR119
Gehäuse: SOT23-3
NPN 50V 100mA 150MHz 200mW NPN 50V 100mA 150MHz 200mW
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Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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