BCR133
Symbol Micros:
TBCR133
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole