BCR133WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR133w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 50V 100mA 130MHz 250mW NPN 50V 100mA 130MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 130MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 133W H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2730 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1015 0,0401 0,0233 0,0171 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR133WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR133WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
19500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0346
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 130MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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