BCR135WH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBCR135wh
Gehäuse: SOT323
NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
530 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1204 | 0,0550 | 0,0298 | 0,0222 | 0,0201 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0303 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0326 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
11000 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0345 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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