BCR148E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR148
Gehäuse: SOT23-3
NPN 50V 100mA 100MHz 200mW NPN 50V 100mA 100MHz 200mW
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Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR148E6327 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0808 | 0,0318 | 0,0186 | 0,0136 | 0,0124 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR148E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0286 |
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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