BCR148SH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR148s
Gehäuse: SOT363
2NPN 50V 100mA 100MHz 250mW 2NPN 50V 100mA 100MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR 148S H6327 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1551 | 0,0736 | 0,0414 | 0,0314 | 0,0282 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR148SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
552000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0501 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR148SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0485 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xNPN |
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