BCR158 INF
Symbol Micros:
TBCR158
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 100mA 200mW PNP 50V 100mA 200mW
Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1640 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0894 | 0,0352 | 0,0206 | 0,0150 | 0,0137 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0257 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
21500 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0293 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0249 |
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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