BCR158 INF

Symbol Micros: TBCR158
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 100mA 200mW PNP 50V 100mA 200mW

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Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1640 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0899 0,0353 0,0207 0,0151 0,0138
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP