BCR169

Symbol Micros: TBCR169
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 47k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 47k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 630
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR169E6327HTSA1 Pbf WSs Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
499 stk.
Anzahl Stück 10+ 40+ 100+ 499+ 2495+
Nettopreis (EUR) 0,0880 0,0387 0,0254 0,0162 0,0135
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
499
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 630
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole