BCR183E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR183
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 100mA 200MHz 200mW PNP 50V 100mA 200MHz 200mW
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Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR183E6327 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2880 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0915 | 0,0361 | 0,0211 | 0,0154 | 0,0141 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR183E6433HTMA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
20000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0276 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR183E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0298 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR183E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0276 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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