BCR183WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR183w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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PNP 50V 100mA 200MHz 250mW PNP 50V 100mA 200MHz 250mW

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR183WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1017 0,0402 0,0234 0,0171 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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