BCR185
Symbol Micros:
TBCR185
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 10k+47k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 10k+47k
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR185 WNs RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0935 | 0,0368 | 0,0214 | 0,0173 | 0,0144 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR185E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0273 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR185E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0327 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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