BCR185WH6327

Symbol Micros: TBCR185w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor PNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR185WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2220 0,1054 0,0592 0,0450 0,0403
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole