BCR191
Symbol Micros:
TBCR191
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k
Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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