BCR191WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR191w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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PNP 50V 100mA 200MHz 250mW PNP 50V 100mA 200MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 191W H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1075 0,0425 0,0248 0,0181 0,0166
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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