BCR192E6327
Symbol Micros:
TBCR192e
Gehäuse: SOT23
PNP transistor Bipolar 50V 100mA PNP transistor Bipolar 50V 100mA
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR 192 E6327 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1385 | 0,0634 | 0,0343 | 0,0254 | 0,0231 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR192E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
45000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0273 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR192E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
21000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0311 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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