BCR198WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR198w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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PNP 50V 100mA 190MHz 250mW PNP 50V 100mA 190MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 190MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR198WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1150 0,0526 0,0284 0,0212 0,0192
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR198WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0315
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR198WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0370
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 190MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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