BCR35PNH6327XTSA1

Name: TBCR35pnh TBCR35pnh
Brand: Infineon
SKU: TBCR35pnh
Price: 0.0554 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCR35pnh

Gehäuse: SOT363

NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2890 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2169	0,1031	0,0578	0,0441	0,0394

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0498

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

36000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0527

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6433XTMA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0498

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP