BCR48PNH6327 INFINEON

Symbol Micros: TBCR48pn

Gehäuse: SOT363

NPN/PNP 50V 70mA/100mA 100MHz 250mW NPN/PNP 50V 70mA/100mA 100MHz 250mW

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR48PNH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

54000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0446

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP