BCR512

Symbol Micros: TBCR512
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2466 0,1252 0,0759 0,0601 0,0548
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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