BCR553E6327 INFINEON

Symbol Micros: TBCR553

Gehäuse: SOT23-3

PNP 50V 500mA 150MHz 330MHz PNP 50V 500mA 150MHz 330MHz

Parameter

Verlustleistung:	330mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	40
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR553E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0411

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR553E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0420

Verlustleistung:	330mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	40
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP