BCR583 Infineon
Symbol Micros:
TBCR583
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W
Parameter
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2615 | 0,1326 | 0,0803 | 0,0638 | 0,0581 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0581 |
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole