BCR583 Infineon

Symbol Micros: TBCR583
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2615 0,1326 0,0803 0,0638 0,0581
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0581
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP